14 nāi-bí chè-têng

半導體 裝置 製造
MOSFET scaling (process nodes)
010 µm – 1971年 006 µm – 1974年 003 µm – 1977年  1.5 µm – 1981年 001 µm – 1984年 800 nm – 1987年 600 nm – 1990年 350 nm – 1993年 250 nm – 1996年 180 nm – 1999年 130 nm – 2001年 090 nm – 2003年 065 nm – 2005年 045 nm – 2007年 032 nm – 2009年 022 nm – 2012年 014 nm – 2014年 010 nm – 2016年 007 nm – 2018年 005 nm – 2020年
未來 003 nm – ~2022年

14奈米 (nāi-bí)制程 (chè-têng) (英語 (Eng-gí): 14 nm process) 是 (sī)半導體 (pòaⁿ-tō-thé)製造 (chè-chō)制程的 (ê)一 (chi̍t)个 (ê)水平 (chúi-pêng)。上 (Siāng)早 (chá)的14奈米去件 (khì-kiāⁿ)是由 (iû)Intel佇 (tī)2014年 (nî)製造。佇14奈米中 (tiong)，使用 (sú-iōng)了 (liáu)多程 (to-têng)圖形 (tô͘-hêng)曝光 (pha̍k-kng)模式 (bô͘-sek)。

2014年9月 (goe̍h)， Intel推出 (thui-chhut)第一 (tē-it)代 (tāi)14奈米取理器 (chhú-lí-khì)，採用 (chhái-iōng)Broadwell微架構 (bî-kè-kò͘)。