7 nāi-bí chè-têng

半導體 裝置 製造
MOSFET scaling (process nodes)
010 µm – 1971年 006 µm – 1974年 003 µm – 1977年  1.5 µm – 1981年 001 µm – 1984年 800 nm – 1987年 600 nm – 1990年 350 nm – 1993年 250 nm – 1996年 180 nm – 1999年 130 nm – 2001年 090 nm – 2003年 065 nm – 2005年 045 nm – 2007年 032 nm – 2009年 022 nm – 2012年 014 nm – 2014年 010 nm – 2016年 007 nm – 2018年 005 nm – 2020年
未來 003 nm – ~2022年

7奈米 (nāi-bí)制程 (chè-têng) (英語 (Eng-gí): 7 nm process) 是 (sī)半導體 (pòaⁿ-tō-thé)製造 (chè-chō)制程的 (ê)一 (chi̍t)个 (ê)水平 (chúi-pêng)。佇 (Tī)2015年 (nî)7月 (goe̍h)，IBM宣佈 (soan-pò͘)已 (í)SiGe製程 (chè-têng)做出 (chò-chhut)第一 (tē-it)个通 (thang)運作 (ūn-chok)的7奈米電晶體 (tiān-cheng-thé)。台積澱 (Tâi-chek-tiān)佇2017年年中 (nî-tiong)推出 (thui-chhut)試驗 (chhì-giām)產品 (sán-phín)，閣 (koh)佇2018年第二 (tē-jī)季 (kùi)首先 (siú-sian)讓產 (liōng-sán)第一代 (tāi)7奈米爭片 (cheng-phìⁿ)。