Poàn-tō-thé

An ingot of monocrystalline silicon

半導體 裝置 製造
MOSFET scaling (process nodes)
010 µm – 1971年 006 µm – 1974年 003 µm – 1977年  1.5 µm – 1981年 001 µm – 1984年 800 nm – 1987年 600 nm – 1990年 350 nm – 1993年 250 nm – 1996年 180 nm – 1999年 130 nm – 2001年 090 nm – 2003年 065 nm – 2005年 045 nm – 2007年 032 nm – 2009年 022 nm – 2012年 014 nm – 2014年 010 nm – 2016年 007 nm – 2018年 005 nm – 2020年
未來 003 nm – ~2022年

半導體 (Poàn-tō-thé) (英語 (Eng-gí): semiconductor) 是 (sī)電氣 (tiān-khì)傳導率 (thoân-tō-lu̍t)屆 (kài)佇 (tī)導體 (tō-thé)佮 (kap)絕緣體 (cho̍at-iân-thé)之 (chi)間 (kan)的 (ê)材料 (châi-liāu)，是真濟 (chin-choē)電子 (tiān-chú)器材 (khì-châi)的製遭 (chè-cho)期楚 (ki-chhó)。