5 nāi-bí chè-têng

半導體 裝置 製造
MOSFET scaling (process nodes)
010 µm – 1971年 006 µm – 1974年 003 µm – 1977年  1.5 µm – 1981年 001 µm – 1984年 800 nm – 1987年 600 nm – 1990年 350 nm – 1993年 250 nm – 1996年 180 nm – 1999年 130 nm – 2001年 090 nm – 2003年 065 nm – 2005年 045 nm – 2007年 032 nm – 2009年 022 nm – 2012年 014 nm – 2014年 010 nm – 2016年 007 nm – 2018年 005 nm – 2020年
未來 003 nm – ~2022年

5奈米 (nāi-bí)制程 (chè-têng) (英語 (Eng-gí): 5 nm process) 是 (sī)半導體 (pòaⁿ-tō-thé)製造 (chè-chō)制程的 (ê)一 (chi̍t)个 (ê)水平 (chúi-pêng)。佇 (Tī)半導體企件 (khì-kiāⁿ)製造中 (tiong)，國際 (Kok-chè)氣件 (Khì-kiāⁿ)佮 (kap)系統 (Hē-thóng)路線 (Lō͘-sòaⁿ)圖 (Tô͘)共 (kā)5奈米工藝 (kang-gē)定義 (tēng-gī)做 (chò)7奈米後 (āu)的MOSFET技術 (ki-su̍t)節點 (chat-tiám)。相用 (Siong-iōng)5奈米制重 (chè-têng)技維 (ki-î)具有 (kū-iú)FinFET的刀卡極 (to-cha̍h-ke̍k)電晶體 (tiān-cheng-thé) (MuGFET) 技術。猶閣 (Iáu-koh)有 (ū)已經 (í-keng)政盟 (chèng-bêng)的5奈米GAAFET技術，毋過 (m̄-koh)猶未 (iáu-bōe)相業化 (siong-gia̍p-hòa)。 2020年 (nî)初 (chho͘)，三星 (Sam-seng)電子 (Tiān-chú)佮台積澱 (Tâi-chek-tiān)已經開始 (khai-sí)5奈米制程的有限 (iú-hān)方險 (hong-hiám)試產 (chhì-sán)，閣 (koh)界衛 (kè-ōe)佇2020年底 (té)開始批量 (phoe-liōng)生產 (seng-sán)。 2020年9月 (goe̍h)15，由 (iû)台積澱製造的Apple A14 Bionic成做 (chiâⁿ-chò)第一 (tē-it)个公開 (kong-khai)發表 (hoat-piáu)的5奈米制程晶片 (cheng-phìⁿ)。