22 nāi-bí chè-têng

半導體 裝置 製造
MOSFET scaling (process nodes)
010 µm – 1971年 006 µm – 1974年 003 µm – 1977年  1.5 µm – 1981年 001 µm – 1984年 800 nm – 1987年 600 nm – 1990年 350 nm – 1993年 250 nm – 1996年 180 nm – 1999年 130 nm – 2001年 090 nm – 2003年 065 nm – 2005年 045 nm – 2007年 032 nm – 2009年 022 nm – 2012年 014 nm – 2014年 010 nm – 2016年 007 nm – 2018年 005 nm – 2020年
未來 003 nm – ~2022年

22奈米 (nāi-bí)制程 (chè-têng) (英語 (Eng-gí): 22 nm process) 是 (sī)半導體 (pòaⁿ-tō-thé)製造 (chè-chō)制程的 (ê)一 (chi̍t)个 (ê)水平 (chúi-pêng)。自 (Chū)2012年 (nî)4月 (goe̍h)開始 (khai-sí)， 22奈米的消費級 (siau-hùi-kip)CPU產品 (sán-phín)推出 (thui-chhut)。和 (Hām)進前 (chìn-chêng)的製程 (chè-têng)相比 (sio-pí)，自22奈米制重 (chè-têng)開始，交道 (kau-tō)腸肚 (tn̂g-tō͘)不再 (put-chài)是上 (siāng)重要 (tiōng-iàu)的因素 (in-sò͘)。 22奈米的後計 (āu-kè)製程是14奈米。